Версия для печати
Технические характеристики BZV55C6V2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	6.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	100nA @ 2V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	500mW
Impedance (Max) (Zzt)	10 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	Mini MELF
Корпус	SOD-80C
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		1 365	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	442	19.17
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	1 021	11.05
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	740	8.51
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V		43 657	1.36  >100 шт.   0.68
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	NXP
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	LGE
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	КИТАЙ
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	EIC
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	HOTTECH	69 360	1.92  >100 шт.   0.96
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	SEMTECH	13	1.30
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	KLS	4	1.35
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	YANGJIE (YJ)
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	1
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	KUU	24 828	1.09
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	DC COMPONENTS	32 908	4.21
		CC1206KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	YAGEO	469 201	1.88  >100 шт.   0.94
		CC1206KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
		CC1206KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1206KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC1206KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	YAGEO
		PMBT4401			PHILIPS
		PMBT4401			NXP
		PMBT4401
		PMBT4401			NXP	82
		PMBT4401			PHILIPS
		RC1206FR-071K5L			YAGEO	218 007	0.81  >500 шт.   0.27
		RC1206FR-071K5L			YAGEO	2 500
		RC1206FR-071K5L

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"