|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
800
|
10.20
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
2 459
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
SHIKUES
|
245
|
1.18
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
JSCJ
|
1 030 148
|
1.40
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
48
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
38 240
|
8.86
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
7 528
|
8.70
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TRR
|
4 800
|
4.92
|
|
|
|
NCP1450ASN50T1G |
|
Стабилизатор напряжения, Vin,В 0.6V-5.5V, Vout,В 5 V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 180kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1450ASN50T1G |
|
Стабилизатор напряжения, Vin,В 0.6V-5.5V, Vout,В 5 V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 180kHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1450ASN50T1G |
|
Стабилизатор напряжения, Vin,В 0.6V-5.5V, Vout,В 5 V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 180kHz
|
|
|
180.00
|
|
|
|
NCP1450ASN50T1G |
|
Стабилизатор напряжения, Vin,В 0.6V-5.5V, Vout,В 5 V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 180kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1450ASN50T1G |
|
Стабилизатор напряжения, Vin,В 0.6V-5.5V, Vout,В 5 V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 180kHz
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
DC COMPONENTS
|
45 160
|
4.36
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
DC COMPONENTS
|
4 285
|
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
|
6 320
|
1.24
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
HOTTECH
|
89 851
|
1.60
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
TY
|
19
|
2.24
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
OLITECH
|
7 510
|
1.63
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
YANGJIE
|
40 000
|
2.30
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
MIC
|
4 800
|
1.52
|
|
|
|
SS110 |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A SMA
|
TRR
|
12 800
|
1.02
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
|
1 063
|
291.60
|
|