МИКРОФОН EM-9767(P) С ВЫВОДАМИ
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BTS621L1 |
|
Транзистор полевой | INFINEON |
|
|
||
|
|
BTS621L1 |
|
Транзистор полевой |
|
518.36 | |||
|
|
BTS621L1 |
|
Транзистор полевой | Infineon Technologies |
|
|
||
|
|
BTS621L1 |
|
Транзистор полевой | SIEMENS |
|
|
||
| DXI40N-A 0.5W 50OHM | 10 272 | 51.82 | ||||||
| DXI40N-A 0.5W 50OHM | RUICHI |
|
|
|||||
| DXI50N-C 0.5W 50OHM | 5 435 | 71.57 | ||||||
| DXI50N-C 0.5W 50OHM | RUICHI |
|
|
|||||
 |
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... |
|
904.00 | ||
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | IR/VISHAY | 13 | 944.62 | |
| НКИ 1.5-4 | 19 200 | 2.88 | ||||||
| НКИ 1.5-4 | КВТ | 352 | 5.90 | |||||
| НКИ 1.5-4 | KVT | 92 | 3.63 |
