![]() |
ОУ бипл., 0,6 МГц, 0,3 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,7 мкВ/°С, 9,6 нВ/VГц, Iвх = 1,2 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 1,6 мА, Uп = 6...44 В, -40...+85°C, SOIC8 без свинца. |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип усилителя | General Purpose |
Число каналов | 1 |
Скорость нарастания выходного напряжения | 0.3 V/µs |
Полоса пропускания | 600kHz |
Ток - входного смещения | 1.2nA |
Напряжение входного смещения | 20µV |
Ток выходной | 1.6mA |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOIC |
![]() | FQP10N20C 200v n-channel mosfet РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | LPHC-18-350 Р В Р’ВРєРѕРЅРѕРСВР В РЎвЂР ЎвЂЎР Р…ые Р В РЎвЂР ЎРѓРЎвЂљР С•РЎвЂЎР Р…Р СвЂР  С”Рцтока Р В РЎВощностью 18РІС‚ 480.91 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | MPXV5010DP Р”РСвЂР ЎвЂћРЎвЂћР ВµРЎР‚енцРСвЂР  В°Р В»РЎРЉР Р…ый Р В РўвЂР  В°РЎвЂљРЎвЂЎР СвЂР  С” Р В РўвЂР  В°Р Р†Р В»Р ВµР Р…Р СвЂР РЋР РЏ Р РЋР С“ теРСВпературной РєРѕРСВпенсацРСвЂР  ВµР в„–, калРСвЂР  В±РЎР‚ованный. Р”РСвЂР  В°Р С—азон Р В РЎвЂР В Р’В·Р В РЎВеряеРСВых Р В РўвЂР  В°Р Р†Р В»Р ВµР Р…Р СвЂР  в„– РѕС‚ 0 Р В РўвЂР  С• 10 РєРџР°. НапряженРСвЂР В Р’Вµ Р С—Р СвЂР ЎвЂљР В°Р Р…Р СвЂР РЋР РЏ 5Р В РІР‚в„ў... РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
|
Корзина
|