C630 (ABE), 10 A, 250 В, 6.35Х30 ММ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
C630 (ABE), 20 A, 250 В, 6.35Х30 ММ		CONQUER
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FAIR
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	INTERSIL
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FSC
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)		500.00
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	Fairchild Semiconductor
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FAIRCHILD
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ONS-FAIR
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ONS
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ON SEMICONDUCTOR
ICL7667CPAZ		INTERSIL
ICL7667CPAZ		ITL
ICL7667CPAZ
ICL7667CPAZ		RENESAS
ВП2Б-1В, 10 А, 250 В		РАДИОДЕТАЛЬ
РЭС 47 РФ4.500.407.00.02