Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8564ARZ		4 компаратора, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4мкА, Iсдв=3мкА, Uп=5 или +5В, ...	ANALOG DEVICES
		AD8564ARZ		4 компаратора, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4мкА, Iсдв=3мкА, Uп=5 или +5В, ...	ANALOG
		AD8564ARZ		4 компаратора, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4мкА, Iсдв=3мкА, Uп=5 или +5В, ...	ANALOG DEVICES
		AD8564ARZ		4 компаратора, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4мкА, Iсдв=3мкА, Uп=5 или +5В, ...	Analog Devices Inc
		AD8564ARZ		4 компаратора, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4мкА, Iсдв=3мкА, Uп=5 или +5В, ...
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	NXP	1 789	3.57
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CHENMKO ENTERPRISE
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIR
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICRO SEMICONDUCTOR
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PHILIPS	532	6.63
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	DC COMPONENTS	35 348	3.35
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	DIOTEC	20 700	2.65
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LI-SION TECHNOLOGY
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...		559	7.04
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIRCHILD
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	GALAXY	985	3.99
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MCC
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIRCHILD	4 762
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LI-SION TECHNOLOGY INC.	1 848
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	NXP	3 192
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	OTHER	4 841
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PHILIPS
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	Fairchild Semiconductor
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICROSEMI CORP
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	КИТАЙ
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	UTC
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ONS-FAIR
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ONS
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	GALAXY ME
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	HOTTECH	82 172	1.02
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LRC
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	KLS
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	KOME	2	3.66
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PANJIT
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SUNTAN	77	1.58
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR	1 298
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SEMTECH	1	2.96
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	WUXI XUYANG	781	2.51
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	YJ	757 822	1.43
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CJ	1 204	1.40
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	1
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	JSCJ	164 840	1.97
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	JINGDAO
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		78 124	1.08
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	10.20
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS	4 227	2.89
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	40	10.50
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	39 736	2.44
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	215 892	1.92
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	1 258 580	1.55
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	405	2.27
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN	693 428	1.14
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
		IRFL9014PBF		Силовой МОП-Транзистор P-кан Vси = -60 В, Rоткр = 0.5 Ом, Id(25°C) = -1.8 A корпус SOT-223	VISHAY
		IRFL9014PBF		Силовой МОП-Транзистор P-кан Vси = -60 В, Rоткр = 0.5 Ом, Id(25°C) = -1.8 A корпус SOT-223	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFL9014PBF		Силовой МОП-Транзистор P-кан Vси = -60 В, Rоткр = 0.5 Ом, Id(25°C) = -1.8 A корпус SOT-223	Vishay/Siliconix
		IRFL9014PBF		Силовой МОП-Транзистор P-кан Vси = -60 В, Rоткр = 0.5 Ом, Id(25°C) = -1.8 A корпус SOT-223	VISHAY/IR
		LT1763CS8			LINEAR TECHNOLOGY
		LT1763CS8			LT
		LT1763CS8			LTC
		LT1763CS8					480.00
		LT1763CS8			LINEAR TECHNOLOGY
		LT1763CS8			AD-LTC

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"