КЕР.ЧИП КОНД. 0.022МКФ X7R 10%, 0402, 50В, GRM155R71H223K

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
100МКФ 16 (6.3X5)
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIR
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ON SEMICONDUCTOR
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	UTC
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	800	16.83
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	332
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	DC COMPONENTS	2 864	5.16
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	Fairchild Semiconductor
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	STMicroelectronics
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	MOTOROLA
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS SEMI
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	КИТАЙ
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)		8	14.40
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS-FAIR
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	1
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	48.45
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		518	31.50
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А			13 600	5.10
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А			13 600	5.10
МР20-2 СБ-12А ЧГ			11 600	5.10
МР20-2 СБ-12А ЧГ			11 600	5.10