КЕР.ЧИП КОНД. 0.022МКФ X7R 10%, 0402, 50В, GRM155R71H223K

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BT134-600D.127	TRIAC 600В, 4A, 10мА	NXP
BT134-600D.127	TRIAC 600В, 4A, 10мА	WEEN/NXP	8 726	19.85
BT134-600D.127	TRIAC 600В, 4A, 10мА	WEEN / NXP
BT134-600D.127	TRIAC 600В, 4A, 10мА	WEEN
BT134-600D.127	TRIAC 600В, 4A, 10мА
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	NXP
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	PHILIPS	800	28.05
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	ON SEMICONDUCTOR
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	MOTOROLA
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA		1	25.20
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	PHILIPS
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	WEEN
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	NXP/NEXPERIA
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	1
К53-1-0.1МКФ-15В-20%		RUS
К77-1-3300ПФ-400В 10%		ПОЛИКОНД
К77-1-3300ПФ-400В 10%
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...		347	31.50
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	КРЕМНИЙ
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	БРЯНСК	2 285	34.00
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	МИНСК
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ИНТЕГРАЛ
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ТРАНЗИСТОР