BF1012
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BF1012W (N-канальные транзисторные модули) SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50 | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50 |
|
58.40 | ||
| BF999E6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BF999E6327 |
|
36.56 | ||||||
| BF999E6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| КВ131А |
|
|
||||||
| КВ131А |
|
|
||||||
| КВ131А | ХЕРСОН | 760 | 10.00 | |||||
| КТ 660 Б | RUS |
|
|
|||||
| КТ6113Д |
|
|
||||||
| КТ6113Д |
|
|
||||||
| КТ6113Д | ЭЛЕКС | 80 | 12.24 |
