|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
|
|
62.80
|
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
J113 |
|
Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2
|
20.00
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
|
|
48.64
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONS
|
12
|
59.04
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
32
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
FUXIN
|
4 416
|
6.72
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
74
|
36.00
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
25.50
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
6 197
|
32.00
|
|
|
|
КТ972Г |
|
|
|
164
|
31.85
|
|
|
|
КТ972Г |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Г |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 463
|
28.88
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
2 928
|
38.00
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|