2N7002V
Dual n-channel enhancement mode field effect transistor
Технические характеристики 2N7002V
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 280mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
Power - Max | 250mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | SOT-666 |
Корпус | SOT-563F |
Product Change Notification | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru