2N7002V


Dual n-channel enhancement mode field effect transistor

2N7002V (заказ)
2N7002V

Технические характеристики 2N7002V

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C280mA
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-666
КорпусSOT-563F
Product Change NotificationMold Compound Change 20/Aug/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru