|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
PHILIPS
|
800
|
13.26
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
AMERICAN POWER DEVICES
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
ITT
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
463
|
3.15
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
AMERICAN POWER DEVICES
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
ITT
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
EIC SEMICONDUCTOR
|
272
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
|
96
|
1.87
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
HOTTECH
|
9 961
|
3.94
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
SUNTAN
|
360
|
2.87
|
|
|
|
1N4734A |
|
Стабилитрон 5.6В, 1Вт
|
CTK
|
8 795
|
2.88
|
|
|
|
293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В
|
VISHAY
|
34 428
|
16.77
|
|
|
|
293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В
|
|
|
30.80
|
|
|
|
293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
|
|
293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В
|
VISНAY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
49 112
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
5 532
|
2.76
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
143 268
|
1.82
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
960
|
1.20
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
264
|
2.86
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
68
|
2.52
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
94 260
|
1.77
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
1 198
|
1.67
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
|
|
268.00
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
32
|
|
|
|
|
S1M-TP |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
S1M-TP |
|
|
|
|
|
|