![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | RC0603 |
Сопротивление (Ом) | 2.26K |
Мощность (Ватт) | 0.1W, 1/10W |
Composition | Thick Film |
Температурный коэфициент | ±100ppm/°C |
Допустимые отклонения емкости | ±1% |
Size / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Высота | 0.022" (0.55mm) |
Number of Terminations | 2 |
Корпус (размер) | 0603 (1608 Metric) |
Tolerance | ±1% |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TCNT2000 | VISHAY |
![]() |
![]() |
|||||
TCNT2000 |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
КД410АМ | 23 117 | 2.72 | |||||
![]() |
КД410АМ | ИЗОТОН |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
КД410АМ | ИЗОТОП | 10 781 | 1.60 | ||||
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 311 | 48.45 | |
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 518 | 31.50 | ||
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ646А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР |
![]() |
![]() |
|
ТВС-90ПЦ 8 |
![]() |
![]() |
||||||
УН-9/18-0,3 УМНОЖИТЕЛЬ | 92 | 280.00 |
|
Корзина
|