|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
|
40 526
|
1.49
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
DC COMPONENTS
|
15 800
|
2.24
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YANGJIE
|
2 400
|
2.71
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
КД213Г |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
|
273
|
33.44
|
|
|
|
КД213Г |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
ФОТОН
|
1 029
|
32.00
|
|
|
|
КД213Г |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
СЗТП
|
8
|
265.20
|
|
|
|
КД213Г |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
62 764
|
7.04
|
|
|
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
|
32 781
|
1.76
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
ТОМСК
|
849
|
2.00
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2
|
35.20
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
8 072
|
34.00
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|