|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
|
48 000
|
1.34
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
DC COMPONENTS
|
10 048
|
1.79
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YANGJIE
|
4 000
|
2.34
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МЕЗОН КИШИНЁВ
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
|
1 428
|
40.80
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
СПЛАВ
|
1 120
|
65.93
|
|
|
|
КД213Г |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
|
435
|
33.44
|
|
|
|
КД213Г |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
ФОТОН
|
1 061
|
32.00
|
|
|
|
КД213Г |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
СЗТП
|
8
|
265.20
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
|
34 059
|
1.76
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
ТОМСК
|
1 331
|
2.00
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
5
|
35.20
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
10 202
|
38.00
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
40
|
30.60
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|