Версия для печати
Технические характеристики GRM31CF50J107ZE01L

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Количество в упаковке	2000 шт.
Вес	0.076 г
Допуск емкости	+80/-20%
Номинальное постоянное напряжение	6.3 В
Тип диэлектрика	Y5V
Рабочая температура	-30...85 °C
	Tin Plated Layer
Размер	3.2x1.6x1.6
Температурный коэфициент	Y5V
Номинальное напряжение	6.3 В
Емкость	100 мкФ
Серия	GRM
Корпус (размер)	1206
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	-20%, +80%
Tolerance	-20%, +80%
Рабочая температура	-30°C ~ 85°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Thickness	0.071" (1.80mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	FSC
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	AGILENT TECHNOLOGIES
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	HEWLETT PACKARD
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	VISHAY
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Lite-On Inc
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Vishay/Semiconductors
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Avago Technologies US Inc
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Fairchild Optoelectronics Group
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	FAIRCHILD	920	68.04
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVLT
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVL	277	21.11
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	TEXAS INSTRUMENTS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ISO
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	LIT
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	TOSHIBA
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVERLIGHT	1 731	26.72
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ON SEMI/FAIRCH
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ONSEMICONDUCTOR
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс		306	23.08
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	LITE ON OPTOELECTRONICS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	LITE-ON
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	TOSHIBA	266	68.04
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ERL
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ONS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	0.00
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	1
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	CT-MICRO
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVERLLIGHT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP	1 036	2.10
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	400	4.91
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	42 188	2.21
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)		94 400	1.72  >100 шт.   0.86
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WTE
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIOTEC	67 935	2.34
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD	14 586
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP	9 216
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS	626
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIODES INC.	1 126
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	КИТАЙ
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	UTC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	MCC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NEXPERIA	1 584	1.21
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY ME
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	LRC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	HOTTECH	22 894	1.05
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	KLS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SEMTECH	5	2.39
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SUNTAN
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WUXI XUYANG
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YJ	334 917	2.07
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YANGJIE	108 000	1.20
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YOUTAI	6 188	1.84
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	JSCJ	271 413	1.38
		CC0805JRNPO9BN471		Керамический конденсатор 470 пФ 50 В	YAGEO	271 276	1.41  >500 шт.   0.47
		CC0805JRNPO9BN471		Керамический конденсатор 470 пФ 50 В	YAGEO
		CC0805JRNPO9BN471		Керамический конденсатор 470 пФ 50 В
		CERCAP 0.47/50V 0805 KX7R		Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В	MURATA
		CERCAP 0.47/50V 0805 KX7R		Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В	SAM
		CERCAP 0.47/50V 0805 KX7R		Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В	MUR
		IRFR1018EPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR1018EPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)
		IRFR1018EPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)	INFINEON	2 400	144.65

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"