UF5407
|
Версия для печати
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | DO-201AD, Axial |
| Корпус | DO-201AD |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1651[C] | SAN |
|
|
|||||
| LA78041 | SANYO |
|
|
|||||
| LA78041 | 5 | 108.00 | ||||||
| LA78041 | SAN |
|
|
|||||
| LA78041 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| LA78041 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| LA78041 | 1 |
|
|
|||||
 |
RU3AM |
|
Диод 1,5A, 600V, 4000ns | SK |
|
|
||
|
|
RU3AM |
|
Диод 1,5A, 600V, 4000ns | SANKEN |
|
|
||
|
|
RU3AM |
|
Диод 1,5A, 600V, 4000ns |
|
75.20 | |||
 |
 |
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot |
|
123.56 | ||
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | КИТАЙ |
|
|
|
 |
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | SANKEN |
|
|
||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | SK |
|
|
||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | 3 | 330.00 | |||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | 1 |
|
|
