Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Power - Max | 250mW |
Frequency - Transition | 80MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DC COMPONENTS
|
421 965
|
1.92
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIOTEC
|
11 180
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
|
64 925
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TSC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YJ
|
532 691
|
1.02
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
HOTTECH
|
78 042
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KLS
|
21 600
|
3.94
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSCJ
|
116 021
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JINGDAO
|
1 176
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MDD
|
97 524
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSMICRO
|
45 350
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BC847B.215 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
2.56
|
|
|
|
BC847B.215 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
NXP
|
9 480
|
1.60
|
|
|
|
BC847B.215 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
3 144
|
2.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
13 884
|
2.78
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
15 986
|
2.89
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
46 846
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.96
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
15 904
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
4.92
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
194 846
|
1.43
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
2 400
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
TLCY5100 |
|
Сверхяркий светодиод в корпусе диаметром 5мм
|
VISHAY
|
1 840
|
15.64
|
|
|
|
TLCY5100 |
|
Сверхяркий светодиод в корпусе диаметром 5мм
|
|
|
|
|
|
|
TLCY5100 |
|
Сверхяркий светодиод в корпусе диаметром 5мм
|
|
|
|
|
|
|
TLCYG5100 |
|
Сверхяркий светодиод в корпусе диаметром 5мм
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TLCYG5100 |
|
Сверхяркий светодиод в корпусе диаметром 5мм
|
|
6
|
23.10
|
|
|
|
TLCYG5100 |
|
Сверхяркий светодиод в корпусе диаметром 5мм
|
|
6
|
23.10
|
|