BZV55-B12,115
|
DIODE ZENER 12V 500MW SOD80C |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 8V |
| Допустимые отклонения емкости | ±2% |
| Tolerance | ±2% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 25 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-80C |
| Корпус | LLDS; MiniMelf |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BZV55-B15,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B15,115 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B15,115 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B15,115 |
|
|
|
|||
|
|
|
BZV55-B18,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B18,115 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B18,115 |
|
16 |
|
|||
|
|
|
BZV55-B24,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B24,115 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B24,115 |
|
|
|
|||
| LTV-817S-TA1-C | LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
|||||
| LTV-817S-TA1-C | LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
|||||
| LTV-817S-TA1-C | LIT | 315 806 | 6.05 | |||||
| LTV-817S-TA1-C | LITE-ON | 141 020 | 6.08 | |||||
| LTV-817S-TA1-C |
|
|
||||||
| LTV-817S-TA1-C | 0.00 |
|
|
|||||
| LTV-817S-TA1-C | YIXING |
|
|
|||||
| LTV-817S-TA1-C | RUME | 20 800 | 3.53 | |||||
 |
|
TLP181GB-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом одноканальная 3.75кВ | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
TLP181GB-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом одноканальная 3.75кВ | TOS |
|
|
|
|
|
|
TLP181GB-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом одноканальная 3.75кВ |
|
28.00 |
