|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
|
91 940
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
HOTTECH
|
399 556
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
SEMTECH
|
13
|
1.20
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
DC COMPONENTS
|
12 733
|
4.21
|
|
|
|
LTS15-NP |
|
|
LEM
|
|
|
|
|
|
LTS15-NP |
|
|
|
|
4 810.76
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
|
1
|
163.80
|
|
|
|
MOC3051M |
|
Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA
|
1
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|