CY7C1021DV33-10ZSXI
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
CY7C1021DV33-10ZSXI (CYPRESS.) |
44 |
3-4 недели Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики CY7C1021DV33-10ZSXI
Корпус | 44-TSOP II |
Корпус (размер) | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение питания | 3 V ~ 3.6 V |
Интерфейс подключения | Parallel |
Скорость | 10ns |
Объем памяти | 1M (64K x 16) |
Тип памяти | SRAM - Asynchronous |
Формат памяти | RAM |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | 622HH Осевой вентРСвЂР  В»РЎРЏРЎвЂљР С•РЎР‚ постоянного тока серРСвЂР  С†620 РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | VF20100SG Высоковольтный trench mos огранРСвЂР ЎвЂЎР СвЂР ЎвЂљР ВµР В»РЎРЉР Р…ый Р В РўвЂР В РЎвЂР  С•Р Т†РЎв‚¬Р С•РЎвЂљР С”Р С†Trench MOS Р В РўвЂР В РЎвЂР  С•Р Т†Р РЃР С•РЎвЂљР С”РцСверхРСВалое РїР°РТвЂР  ВµР Р…Р СвЂР В Р’Вµ РїСЂСЏРСВРѕРіРѕ напряженРСвЂР РЋР РЏ, Р В РЎВалая потеря Р В РЎВощностРцВысокая эфф... РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |