|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
|
545
|
117.35
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
PMC
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ISC
|
593
|
93.87
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST1
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
1
|
|
|
|
|
|
L-1344GD |
|
Единичный светодиод
|
KB
|
|
|
|
|
|
L-1344GD |
|
Единичный светодиод
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
L-1344GD |
|
Единичный светодиод
|
|
|
8.44
|
|
|
|
L-1344GD |
|
Единичный светодиод
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
L-1344GD |
|
Единичный светодиод
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
L-1344GD |
|
Единичный светодиод
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L-1344GD |
|
Единичный светодиод
|
KGB
|
4 381
|
10.34
|
|
|
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm
|
BOURNS
|
1 020
|
22.26
|
|
|
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm
|
|
|
70.00
|
|
|
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
6
|
22.05
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
|
|
40.80
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
2 087
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
1 588
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
|
|
40.40
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|