BAS321.115

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BAS321.115 (NEX-NXP)	1	1.33

Версия для печати

Технические характеристики BAS321.115

Производитель	NXP
Количество в упаковке	3000 шт.
Вес	0.041 г
Bag Type	250 В
Tape Width - Max	1 x 0.25 А
Число шагов	1.25 В
Technology	1
Корпус (размер)	SOD-323

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
593D156X9016B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 15 мкФ 16 В	VISHAY
593D156X9016B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 15 мкФ 16 В	Vishay/Sprague
593D156X9016B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 15 мкФ 16 В
BCX41	Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25	INFINEON	659	16.00
BCX41	Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25		2	40.48
BCX41	Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25	INFINEON TECH
BCX41	Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25	KLS
BCX41	Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25	SUNTAN	2 036	6.67
IRF7820PBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7820PBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7820PBF		INFINEON
IRF7820PBF
LM833N	2х канальный операционный усилитель	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM833N	2х канальный операционный усилитель	ON SEMICONDUCTOR
LM833N	2х канальный операционный усилитель	ST MICROELECTRONICS
LM833N	2х канальный операционный усилитель			53.88
LM833N	2х канальный операционный усилитель	NSC
LM833N	2х канальный операционный усилитель	STMicroelectronics
LM833N	2х канальный операционный усилитель	КИТАЙ
LM833N	2х канальный операционный усилитель	TEXAS INSTRUMENTS
LM833N	2х канальный операционный усилитель	ST MICROELECTRONICS SEMI
MURS120T3G	Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTOR
MURS120T3G	Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	VISHAY
MURS120T3G	Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONS	1 816	77.74
MURS120T3G	Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A		8 080	10.20
MURS120T3G	Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTOR	580
MURS120T3G	Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMIC
MURS120T3G	Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONSEMICONDUCTOR
MURS120T3G	Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTO
MURS120T3G	Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONSEMI
MURS120T3G	Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	1
MURS120T3G	Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	JSMICRO	4 924	3.15