Версия для печати
Технические характеристики BZX84-C22.215

Производитель	NXP
Количество в упаковке	1 шт.
Вес	0.020 г
Voltage - Withstanding	22 В
Voltage - Working	16 мА
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	55 Ом
Voltage Range	5 мА
Корпус (размер)	SOT23
Рабочая температура	-65...150 °C

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV23			NXP
		BAV23			PHILIPS	101 262	1.60
		BAV23					14.00
		BAV23			PHILIPS	788
		BAV23			NXP	11 750
		BAV23					14.00
		BAV23			VISHAY	3 709	3.00
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	4 335	1.60
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	31 094	2.47
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	12 099	1.64
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	185
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		14 728	1.42  >100 шт.   0.71
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 100
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	324 840	1.12
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	982 636	1.58  >100 шт.   0.79
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	2 660	1.64  >100 шт.   0.82
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	75 773	1.04
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	7 200	1.13
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	166 895	1.56  >100 шт.   0.78
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MDD
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	FAIR
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	NXP
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	PHILIPS	1 500	2.00
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)			3.20
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	FAIRCHILD
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	FAIRCHILD
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	NXP	32 741
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	PHILIPS	9 284
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	Fairchild Semiconductor
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	ONS
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	INFINEON
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	ONS-FAIR
		BCX70J		Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)	NXP/NEXPERIA
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	VISHAY
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт			61.44
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	Vishay/Siliconix
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	КИТАЙ
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	29
		ULQ2003A			ST MICROELECTRONICS
		ULQ2003A					42.00
		ULQ2003A			STMicroelectronics
		ULQ2003A			КИТАЙ
		ULQ2003A			ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"