GBU808

RECT BRIDGE GPP 8A 800V GBU

Версия для печати

Технические характеристики GBU808

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Peak Reverse (Max)	800V
Current - DC Forward (If)	8A
Diode Type	Single Phase
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	GBU
Корпус	GBU

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

GBU808 datasheet

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1480	Биполярный транзистор	SANYO
2SA1480	Биполярный транзистор			55.28
2SA1694-Y+2SC4467-Y ПАРА		SK
2SA1694-Y+2SC4467-Y ПАРА
2SC3790	NPN 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SA1480)	SANYO
2SC3790	NPN 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SA1480)	КИТАЙ
2SC3790	NPN 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SA1480)
2SC5395-T12-F		MITSUBISHI
2SC5395-T12-F		MITSUBISHI
2SC5395-T12-F
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR	188	5.65
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	13 500	2.61

GBU808

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

Диодные мосты

С этим товаром покупают: