MJD117G


Купить MJD117G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MJD117G TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
Версия для печати

Технические характеристики MJD117G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypePNP - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Power - Max1.75W
Frequency - Transition25MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусDPAK-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


MJD117G datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    100МКФ25В5X11105°C     JAMICON 8 12.24 
    220МКФ63В10X16105°C     JAMICON 8 33.15 
    MAC15NG Симистор 800 В 15 А   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MAC15NG Симистор 800 В 15 А     Заказ радиодеталей 88.00 
    MAC15NG Симистор 800 В 15 А   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MAC15NG Симистор 800 В 15 А   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MAC15NG Симистор 800 В 15 А   LITTELFUSE Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MAC15NG Симистор 800 В 15 А   LTL Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJD112G   ON Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJD112G   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJD112G     60 цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход