BZV55-B18,115
|
DIODE ZENER 18V 500MW SOD80C |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50nA @ 12.6V |
| Допустимые отклонения емкости | ±2% |
| Tolerance | ±2% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 45 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-80C |
| Корпус | LLDS; MiniMelf |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYW29-200G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=200V, If=8A, Ifsm=100A) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| BYW29-200G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=200V, If=8A, Ifsm=100A) | ONS |
|
|
|||
| BYW29-200G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=200V, If=8A, Ifsm=100A) |
|
|
||||
 |
 |
BZV55-B30,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B30,115 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B30,115 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B30,115 |
|
|
|
|||
|
|
|
BZV55-B30,115 |
|
NEX-NXP |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B4V7,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B4V7,115 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B4V7,115 |
|
|
|
|||
 |
|
MBR10100 |
|
Диод Шоттки 10 A. 100 В | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
MBR10100 |
|
Диод Шоттки 10 A. 100 В | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MBR10100 |
|
Диод Шоттки 10 A. 100 В | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MBR10100 |
|
Диод Шоттки 10 A. 100 В | GALAXY |
|
|
|
|
|
|
MBR10100 |
|
Диод Шоттки 10 A. 100 В |
|
140.00 | ||
|
|
|
MBR10100 |
|
Диод Шоттки 10 A. 100 В | GALAXY ME |
|
|
|
|
|
|
MBR10100 |
|
Диод Шоттки 10 A. 100 В | YANGJIE | 1 880 | 27.17 | |
|
|
|
MBR10100 |
|
Диод Шоттки 10 A. 100 В | YJ | 4 864 | 32.04 | |
| КД273Г |
|
86.40 | ||||||
| КД273Г | ВОРОНЕЖ |
|
|
