Версия для печати
Технические характеристики BC817,215

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

BC817,215 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B66335G0000X187			EPCOS	43	670.24
		B66335G0000X187
		B66335G0000X187			TDK-EPC	212	477.53
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	39 096	1.61
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	NXP
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	TSC
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C		19 600	1.46  >100 шт.   0.73
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	DIOTEC	8 668	2.17
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS	37 063
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	NXP	5 142
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS SEMIC
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	YJ	81 896	1.31
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	HOTTECH	2 400	1.03
		CC1210KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1210, 100В	YAGEO	53 481	4.74
		CC1210KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1210, 100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1210KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1210, 100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC1210KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1210, 100В	YAGEO
		CC1210KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1210, 100В
		МЛТ-1-820 ОМ-10%				75	7.56

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"