IRLR3410PBF
МОП-Транзистор, N-канальный с управлением логическим уровнем, 100В, 15A, 0.1Ом
|
МОП-Транзистор, N-канальный с управлением логическим уровнем, |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V |
| Power - Max | 79W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
МОП-Транзистор, N-канальный с управлением логическим уровнем, 100В, 15A, 0.1Ом
|
