|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
10 536
|
4.68
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
5 898
|
8.57
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
5 600
|
1.22
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
515
|
1.76
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.22
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
L6560 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L6560 |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
L6560 |
|
|
|
|
|
|
|
|
L6560 |
|
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
L6560 |
|
|
|
|
|
|
|
|
L6560 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
714
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTRONICS
|
37 120
|
9.15
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
MOTOROLA
|
17
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
174
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
160
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
12 422
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
|
4
|
20.52
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
187
|
|
|
|
|
LM431ACZX |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM431ACZX |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM431ACZX |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM431ACZX |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM431ACZX |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM431ACZX |
|
|
ONS
|
1 812
|
24.10
|
|
|
|
LM431ACZX |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
148
|
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
ONS
|
13 074
|
15.10
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
427
|
|
|