Версия для печати
Технические характеристики MC74AC132DR2G

Корпус	14-SOIC (Narrow)
Корпус (размер)	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	2 V ~ 6 V
Ток выходной макс., мин.	24mA, 24mA
Число каналов	4
Число входов	2
Логический тип	NAND Gate - Schmitt Trigger
Серия	74AC
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Вентили, инверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	NXP
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт			34.40
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	4 004	33.06
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс		8 288	33.30
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	108
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMEN
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS	8 116	16.26
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXASINSTRUMENTS
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	XINBOLE	9 614	16.80
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	MICRO CHIP	1 090	615.58
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz		290	582.36
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	MICRO CHIP
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	Microchip Technology
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TL082CP		Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...	TEXAS INSTRUMENTS	266	37.80
		TL082CP		Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		TL082CP		Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...		816	31.45
		TL082CP		Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		TL082CP		Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...	TEXAS	821	40.51
		TL082CP		Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...	TEXAS INSTRUMEN

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"