SiA921EDJ-T1-GE3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SIA921EDJ-T1-GE3 (SILICONIX.) |
2 484 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики SiA921EDJ-T1-GE3
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 7.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
