Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | AVR® ATmega |
Процессор | AVR |
Размер ядра | 8-Bit |
Скорость | 8MHz |
Подключения | EBI/EMI, I²C, SPI, UART/USART |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Число вводов/выводов | 53 |
Размер программируемой памяти | 128KB (64K x 16) |
Тип программируемой памяти | FLASH |
EEPROM Size | 4K x 8 |
Размер памяти | 4K x 8 |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.7 V ~ 5.5 V |
Преобразователи данных | A/D 8x10b |
Тип осцилятора | Internal |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 64-TQFP |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 register, 2x8-bit/2x16-bit timer/counters, 8xPWM, 8-ch 10-bit ADC, comparator, RTC, SPI, TWI, WDT, 2xUSART, int. RC oscillator, 53 I/O lines, Vcc=2.7-5.5V, 0-8 MHz, 8 MIPS, -4
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
26 600
|
2.73
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
1 073
|
4.19
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
46 924
|
1.21
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
80
|
8.00
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
15.30
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
15.30
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
10
|
2.22
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
18 177
|
2.47
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
2.26
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
174 649
|
1.97
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
80 968
|
2.40
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
736
|
4.80
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
226 108
|
1.08
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
144
|
1.38
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
210 553
|
1.88
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
|
|
|
|
|
ATMEGA64L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (64K ISP Flash, 2K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA64L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (64K ISP Flash, 2K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
|
|
504.16
|
|
|
|
ATMEGA64L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (64K ISP Flash, 2K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA64L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (64K ISP Flash, 2K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
ATMEGA64L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (64K ISP Flash, 2K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C20 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C20 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C20 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C20 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C30 |
|
|
DC COMPONENTS
|
10 941
|
2.19
|
|
|
|
BZV55-C30 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C30 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C30 |
|
|
NXP
|
7 288
|
|
|
|
|
BZV55-C30 |
|
|
PHILIPS
|
11 428
|
|
|
|
|
BZV55-C30 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C30 |
|
|
PHI
|
1 140
|
2.01
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DC COMPONENTS
|
159 940
|
5.46
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIC
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SMK
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC
|
14 108
|
6.70
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
MIC
|
49 424
|
1.14
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YJ
|
901 008
|
2.16
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
|
16
|
9.60
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
HOTTECH
|
402 004
|
1.09
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
KLS
|
4
|
1.61
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SEMTECH
|
8
|
7.70
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
TOS
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
0.00
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YOUTAI
|
19 970
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
KOME
|
9 600
|
1.09
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGJIE
|
364 000
|
1.54
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
CJ
|
5 400
|
2.22
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
JINGDAO
|
3 433
|
1.94
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
TRR
|
68 000
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|