Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAI/QTC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FSC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)		81 873	3.54
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GALAXY
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES INC.	406
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD	23
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	EIC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Fairchild Semiconductor
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Diodes Inc
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Vishay/Semiconductors
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	КИТАЙ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YJ	16 360	4.43
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SEP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	16 000
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS-FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	HOTTECH	27 300	4.01
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MULTICOMP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGJIE (YJ)
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MASTER INSTRUMENT CO	3 812	13.14
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LGE	7 508	13.41
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ASEMI	3 960	4.93
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNTAN	4 464	5.46
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	TRR	14 400	3.52
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ON SEMICONDUCTOR
		MC34119D		Маломощный УНЧ	UTC
		MC34119D		Маломощный УНЧ	MITSUBISHI
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ST MICROELECTRONICS
		MC34119D		Маломощный УНЧ	UTRON
		MC34119D		Маломощный УНЧ			48.60
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ИНТЕГРАЛ
		MC34119D		Маломощный УНЧ	MOT
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us	MICRO CHIP
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us			69.32
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us	Microchip Technology
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us	MICRO CHIP
		ST3485EBDR			ST MICROELECTRONICS	5 768	60.04
		ST3485EBDR			STMicroelectronics
		ST3485EBDR			ST MICROELECTRONICS SEMI
		ST3485EBDR				1 680	52.48
		ST3485EBDR			ST MICROELECTRO
		ST3485EBDR			STMICROELECTR
		ST3485EBDR			YOUTAI	16 900	30.15
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 БЕЛ. 0.5М					30.76
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 БЕЛ. 0.5М			ПОЛЬША
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 БЕЛ. 0.5М			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"