|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
3 144
|
2.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
26 304
|
2.47
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
20 786
|
2.67
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
3 035
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
52 846
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.74
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
66 167
|
1.02
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
5.90
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
230 478
|
1.29
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
2 400
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
L6562DTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
21 618
|
23.17
|
|
|
|
L6562DTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L6562DTR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6562DTR |
|
|
|
1 600
|
31.42
|
|
|
|
L6562DTR |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
|
2
|
207.60
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TEA1533AT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TEA1533AT |
|
|
|
1
|
115.20
|
|
|
|
TEA1533AT |
|
|
США
|
|
|
|
|
|
TEA1533AT |
|
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
TEA1533AT |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
|
|
135.24
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TEA2261 |
|
SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|