| Функциональное назначение | гнезда на плату |
| Серия | PBS |
| Количество рядов | 1 |
| Количество контактов в ряду | 10 |
| Шаг контактов,мм | 2.54 |
| Форма контактов | угол 90о |
| Материал изолятора | полимер усиленный стекловолокном |
| Сопротивление изолятора не менее,МОм | 500 |
| Материал контактов | фосфористая бронза |
| Покрытие контактов | золото |
| Сопротивление контактов не более,Ом | 0.01 |
| Рабочий ток,А | 1 |
| Рабочее напряжение,В | 500 |
| Предельное напряжение не менее,В | 1500 В перем.тока в течение 1 мин. |
| Способ монтажа | пайка в отверстия на плате |
| Рабочая температура,°С | -55…140 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
|
|
244.80
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
VBSEMI
|
2 181
|
15.05
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
TECH PUB
|
11 512
|
11.26
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
|
|
84.00
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
PKM13EPYH4000-A0 |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
PKM13EPYH4000-A0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PKM13EPYH4000-A0 |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
PKM13EPYH4000-A0 |
|
|
MUR
|
30 284
|
31.21
|
|
|
|
|
STU6N62K3 |
|
N-channel 620 v, 1.1 ?, 5.5 a, ipak supermesh3™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STU6N62K3 |
|
N-channel 620 v, 1.1 ?, 5.5 a, ipak supermesh3™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STU6N62K3 |
|
N-channel 620 v, 1.1 ?, 5.5 a, ipak supermesh3™ power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
STU6N62K3 |
|
N-channel 620 v, 1.1 ?, 5.5 a, ipak supermesh3™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
27
|
|
|
|
|
|
STU6N62K3 |
|
N-channel 620 v, 1.1 ?, 5.5 a, ipak supermesh3™ power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
КР1158ЕН5А |
|
|
|
|
84.00
|
|
|
|
|
КР1158ЕН5А |
|
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КР1158ЕН5А |
|
|
СИТ
|
|
|
|
Версия для печати
