CSD23201W10

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
CSD23201W10 (TEXAS INSTRUMENTS)	1	30.00
CSD23201W10 (CICLON SEMICONDUCTOR DEVICE CO.)	284	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики CSD23201W10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	NexFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 500mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	325pF @ 6V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	4-DSBGA
Корпус	4-DSBGA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CSD23201W10 (MOSFET)

P-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs

Производитель:
Texas Instruments

CSD23201W10 datasheet
470.5 Кб