|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DC COMPONENTS
|
11 849
|
1.39
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DIOTEC
|
8 109
|
1.47
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIC
|
4
|
1.19
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
5 698
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
|
70 498
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YJ
|
2 848
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIG
|
25 519
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ЛЕНТА/КАТУШКА
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
WUXI XUYANG
|
3 670
|
2.16
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SEMTECH
|
41 383
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
|
63 164
|
1.24
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
800
|
10.20
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
9 608
|
1.53
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
OTHER
|
12 800
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
1 424
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
7 139
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
469 910
|
1.97
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
27 028
|
1.19
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
4
|
3.22
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YOUTAI
|
56 089
|
1.61
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
10 503
|
2.14
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
205 216
|
1.24
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
UC3844AN |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
UC3844AN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
UC3844AN |
|
|
|
|
69.32
|
|
|
|
UC3844AN |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3844AN |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
UC3844AN |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
UC3844AN |
|
|
|
|
|
|
|
|
ВП3Т-2Ш-5А |
|
|
|
|
|
|
|
|
ВП3Т-2Ш-5А |
|
|
РАДИОДЕТАЛЬ
|
|
|
|
|
|
ВП3Т-2Ш-5А |
|
|
ЗУБОВА ПОЛЯНА
|
|
|
|
|
|
КТ363А |
|
|
|
|
156.00
|
|
|
|
КТ363А |
|
|
РИГА
|
|
|
|