220МКФ16В(6.3X11)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	ANALOG DEVICES
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	ANALOG
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...			543.44
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	Analog Devices Inc
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	ФИЛИППИНЫ
ГТ308Б			52	18.90
ГТ308Б			52	18.90
ГТ308Б		НАЛЬЧИК	1 267	8.40
ГТ308Б		МИНСК
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...		2 186	18.90
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...	МИНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		926	23.00
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	2 228	25.12
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	61 512	33.60
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	САРАНСК
СП3-38Б-0,125-330 КОМ-30%