|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
MPSA42 NPN |
|
|
BR
|
|
|
|
|
|
MPSA42 NPN |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
RS202 |
|
Мост 2А, 100В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
RS202 |
|
Мост 2А, 100В
|
|
2 160
|
8.86
|
|
|
|
RS202 |
|
Мост 2А, 100В
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
RS202 |
|
Мост 2А, 100В
|
DS
|
|
|
|
|
|
RS202 |
|
Мост 2А, 100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
RS202 |
|
Мост 2А, 100В
|
MIC
|
2 067
|
15.70
|
|
|
|
RS202 |
|
Мост 2А, 100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
|
246
|
9.60
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
DC COMPONENTS
|
8 983
|
3.94
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MIC
|
12 997
|
2.22
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
КИТАЙ
|
532
|
12.24
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
LGE
|
19 200
|
2.95
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
WUXI XUYANG
|
14 544
|
5.86
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
1
|
|
|
|
|
|
TLP627[F] |
|
Оптрон 1xCh 5kV >50%
|
|
|
39.20
|
|
|
|
TLP627[F] |
|
Оптрон 1xCh 5kV >50%
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP627[F] |
|
Оптрон 1xCh 5kV >50%
|
TOS
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
|
1 575
|
5.28
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
КРЕМНИЙ
|
266
|
12.24
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
СВЕТЛАНА
|
21 250
|
4.00
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
РИГА
|
5 499
|
4.00
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|