470МКФ25В(10Х21,АКС.)105°C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
470МКФ25В(10Х21,АКС.)105°C (SUPERTECH)	800	53.55

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF7313	N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	86.70
IRF7313	N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...			66.76
IRF7313	N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7313	N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...	INFINEON
KBP206G		DIODES
KBP206G				76.00
KBP206G		Diodes Inc
KBP206G		DC COMPONENTS
KBP206G		DIODES INC.	274
KBP206G		YJ
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		1 560	43.26
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	149	66.30
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8		3	122.40
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1
МЛТ-1-10 ОМ-10%			298	5.28