|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 310mA |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 300mA, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Корпус | TO-92-3 |
BSN254 N-channel Enhancement Mode Vertical D-mos Transistor Также в этом файле: BSN254A
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BH642 ОДНА БАТАРЕЯ CR2032 | ||||||||
BH642 ОДНА БАТАРЕЯ CR2032 | RUICHI | |||||||
С2-29 0.125 1% 4.02К | РЕСУРС | |||||||
С2-29 0.125 1% 18.0К | РЕСУРС | |||||||
С2-29 0.125 1% 100К | РЕСУРС |
|