|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CL31B104KBCNNNC | SAM | |||||||
CL31B104KBCNNNC | SAMSUNG | 137 512 | 1.43 | |||||
CL31B104KBCNNNC | ||||||||
IRFL210PBF | Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | VISHAY | ||||||
IRFL210PBF | Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | Vishay/Siliconix | ||||||
IRFL210PBF | Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFL210PBF | Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | |||||||
MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MBRS3200T3G | VISHAY | |||||||
MBRS3200T3G | ONS | |||||||
MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 | ||||||
MBRS3200T3G | TOKMAS | 5 600 | 6.06 | |||||
MBRS3200T3G | FUXIN | 976 | 6.51 | |||||
MBRS3200T3G | ONSEMI | 72 | 12.28 | |||||
MJD50T4G | ONS | |||||||
MJD50T4G | ON Semiconductor | |||||||
MJD50T4G | ||||||||
MJD50T4G | ON SEMICONDUCTOR | 157 | ||||||
VS-30BQ040-M3/9AT | VISHAY | 5 440 | 18.25 | |||||
VS-30BQ040-M3/9AT | 2 456 | 29.65 |
|