5EHDVC-03P
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CL31B104KBCNNNC | SAM |
|
|
|||||
| CL31B104KBCNNNC | SAMSUNG | 118 604 | 1.18 | |||||
| CL31B104KBCNNNC |
|
|
||||||
 |
 |
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A |
|
|
||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | VISHAY |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | ONS |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 |
|
|||||
| MBRS3200T3G | TOKMAS | 5 592 | 6.43 | |||||
| MBRS3200T3G | FUXIN | 8 016 | 6.88 | |||||
| MBRS3200T3G | ONSEMI | 72 | 12.05 | |||||
| MJD50T4G | ONS |
|
|
|||||
| MJD50T4G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MJD50T4G |
|
|
||||||
| MJD50T4G | ON SEMICONDUCTOR | 157 |
|
|||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | VISHAY | 5 280 | 18.70 | |||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | 2 456 | 31.01 |
