IRFS4127PBF


Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 72A, 375W)

Купить IRFS4127PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFS4127PBF
Версия для печати

Технические характеристики IRFS4127PBF

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 44A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C72A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5380pF @ 50V
Power - Max375W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFS4127PbF (MOSFET)

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Switch in a D2-Pak package

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFS4127PBF datasheet
355.6 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход