MJ21196G

TRANS PWR NPN 16A 250V TO3

Версия для печати

Технические характеристики MJ21196G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	250V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max)	100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 8A, 5V
Power - Max	250W
Frequency - Transition	4MHz
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	TO-204AA, TO-3 (2 Leads + case)
Корпус	TO-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MJ21196G datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3281	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)	TOSHIBA
2SC3281	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)	NIPPON
2SC3281	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)	TOS
2SC3281	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)			260.64
2SC3281	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)	КИТАЙ
2SC3281	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 30MHz (Comp. 2SA1302)	ISCSEMI
MJ21193G				1 213.20
MJ21193G		ONS
MJ21193G		ON Semiconductor
MJ21193G		КИТАЙ
MJ21193G		ON SEMICONDUCTO
MJ21194G		ONS
MJ21194G		ON Semiconductor
MJ21194G				1 208.00
MJ21194G		КИТАЙ
MJ21194G		ON SEMICONDUCTO
MPSA06G		NXP
MPSA06G		ON SEMICONDUCTOR
MPSA06G				12.00
MPSA06G		ON SEMICONDUCTOR
MPSA06G		ONS
MPSA56G		ON Semiconductor
MPSA56G		ONS
MPSA56G
MPSA56G		ON SEMICONDUCTOR	2 456
MPSA56G		ON SEMICONDUCTO
MPSA56G