Версия для печати
Технические характеристики АОТ166А

Количество каналов	1
Постоянное прямое входное напряжение Uвх.,В	1.2
при входном токе Iвх.,мА	1
Выходной каскад	биполярный транзистор
Коэффициент передачи тока CTR,%	300
при входном токе Iвх.,мА	1
Время нарастания выходного сигнала tнр.,мкс	5
Время спада выходного сигнала tсп.,мкс	50
Сопротивление изоляции между входной и выходной цепями,ГОм	100
Максимальное напряжение изоляции,В	1500
Рабочая температура, С	-25...85

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ОПТОПАРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)		1 104	2.45
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY	5 333	3.35
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	3 888
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	Diodes Inc
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	КИТАЙ
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DI
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DC COMPONENTS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIODES
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIOTEC	29 408	3.04
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY ME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON	102
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	LRC
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HOTTECH	12 000	1.28
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PANJIT
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMTECH	60	3.46
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	WUXI XUYANG	52	3.05
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMICRON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KOME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP/NEXPERIA
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	JSCJ	78 138	1.94
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YJ	85 026	1.97
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MURATA
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр			6.08
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MUR	142 755	1.25
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	Murata Electronics North America
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MURATA
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MURATA*
		DS2406P+		Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В	MAXIM
		DS2406P+		Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В	MAX
		DS2406P+		Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В	Maxim Integrated Products
		DS2406P+		Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В	МАХ
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	MAXIM
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	DALLAS
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	MAX
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	DS
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	Maxim Integrated Products
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	MAXIM
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	FAIR
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	FSC
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	FAIRCHILD
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	FAIRCHILD	56
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	ON SEMI/FAIRCH
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	ONSEMICONDUCTOR
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	ONS
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	ONS-FAIR
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	YOUTAI	2 945	21.78
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	UMW
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	UMW-YOUTAI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"