Версия для печати
Технические характеристики АОТ166А

Количество каналов	1
Постоянное прямое входное напряжение Uвх.,В	1.2
при входном токе Iвх.,мА	1
Выходной каскад	биполярный транзистор
Коэффициент передачи тока CTR,%	300
при входном токе Iвх.,мА	1
Время нарастания выходного сигнала tнр.,мкс	5
Время спада выходного сигнала tсп.,мкс	50
Сопротивление изоляции между входной и выходной цепями,ГОм	100
Максимальное напряжение изоляции,В	1500
Рабочая температура, С	-25...85

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ОПТОПАРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)		1 104	2.45
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY	5 433	3.25
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	3 888
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	Diodes Inc
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	КИТАЙ
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DI
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DC COMPONENTS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIODES
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIOTEC	29 752	2.91
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY ME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON	102
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	LRC
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HOTTECH	18 720	1.42
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PANJIT
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMTECH	75	3.36
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	WUXI XUYANG	52	2.96
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMICRON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KOME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP/NEXPERIA
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	JSCJ	10	1.90
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YJ	98 280	1.97
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MURATA
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр			6.08
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MUR	146 332	1.72  >100 шт.   0.86
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	Murata Electronics North America
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MURATA
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MURATA*
		DS2406P+		Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В	MAXIM
		DS2406P+		Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В	MAX
		DS2406P+		Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В	Maxim Integrated Products
		DS2406P+		Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В	МАХ
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	MAXIM
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	DALLAS
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	MAX
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	DS
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	Maxim Integrated Products
		DS2413P+		Порт ввода/вывода адресуемый	MAXIM
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	FAIR
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	FSC
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	FAIRCHILD
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	FAIRCHILD	56
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	ON SEMI/FAIRCH
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	ONSEMICONDUCTOR
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	ONS
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	ONS-FAIR
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	YOUTAI	2 964	12.14
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	UMW
		MOC3043M		Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль	UMW-YOUTAI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"