Версия для печати
Технические характеристики IRFHM9331TR2PBF

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.6 mOhm @ 11A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	48nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1543pF @ 25V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-PowerVQFN
Корпус	PQFN (3x3)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	200	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	23 478	2.31
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	18 408	3.48
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		118 895	1.52  >100 шт.   0.76
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME	135	1.20
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	405 354	1.58  >100 шт.   0.79
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	88 000	3.10
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.22
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	910 108	1.14
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 551	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	125 565	1.42  >100 шт.   0.71
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	536 528	1.31
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.08
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	ON SEMICONDUCTOR
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	TEXAS INSTRUMENTS
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	MOTOROLA
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C		1	94.50
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	ONS
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	MOTOROLA
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	TEXAS
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	Fairchild Semiconductor
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	МЕКСИКА
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	КИТАЙ
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	0.00
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	FULIHAO TECH	1 760	25.83
		MC33063AD		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	4-7 НЕДЕЛЬ	551
		PIC18F45K22-I/PT				700	266.11
		PIC18F45K22-I/PT			Microchip Technology
		PIC18F45K22-I/PT			MICRO CHIP	2 081	308.48
		PIC18F45K22-I/PT			MICRO CHIP
		PIC18F45K22-I/PT			4-7 НЕДЕЛЬ	261
		PKLCS1212E4001-R1			MURATA	7 536	61.86
		PKLCS1212E4001-R1					136.00
		PKLCS1212E4001-R1			MURATA
		PKLCS1212E4001-R1			Murata Electronics North America
		PKLCS1212E4001-R1			MUR	9 328	62.19
		TC1047AVNBTR		Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC		3 028	39.14
		TC1047AVNBTR		Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC	MICRO CHIP	16 251	46.17
		TC1047AVNBTR		Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC	MICRO CHIP
		TC1047AVNBTR		Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC	Microchip Technology
		TC1047AVNBTR		Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC	MCHIP
		TC1047AVNBTR		Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC	4-7 НЕДЕЛЬ	538

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"