IRF7492PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF7492PBF

Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	79 mOhm @ 2.2A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	59nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1820pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAT6404E6327		INFINEON
BAT6404E6327
BF998WR		PHILIPS
BF998WR		NXP
BF998WR
BF998WR		NXP
BF998WR		PHILIPS
BFR93AR		PHILIPS
BFR93AR		NXP
BFR93AR				40.00
BFR93AR		NXP	3 692
BFR93AR		PHILIPS	7 339
SDR1006-100ML	Индуктивность 10 мкГн SMD	BOURNS	1 293	58.73
SDR1006-100ML	Индуктивность 10 мкГн SMD
SDR1006-100ML	Индуктивность 10 мкГн SMD	Bourns Inc
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LTL
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LITTELFUSE	11 016	12.71
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)			140.00
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LITTELFUSE	1
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	Littelfuse Inc
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	TECH PUB	13 261	6.46
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	MSKSEMI	8 700	5.23