Версия для печати
Технические характеристики B32529C3104J

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MKT B32529
Емкость	0.1µF
Voltage - AC	160V
Voltage - DC	250V
Dielectric Material	Polyester, Metallized
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Radial
Size / Dimension	0.287" L x 0.177" W (7.30mm x 4.50mm)
Высота	0.374" (9.50mm)
Termination	PC Pins
Lead Spacing	0.197" (5.00mm)
Возможности	General Purpose

Пленочный конденсатор радиальный 1000пФ, 200В DC, 400В AC, 10% B32529C3104J datasheet 824,78kB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Пленочные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3440		Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)		16	79.20
		2N3440		Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)	CDIL
		2N3440		Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)	ST MICROELECTRONICS
		2N3440		Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)	MOTOROLA
		2N3440		Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)	MOT
		2N3440		Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)	STMicroelectronics
		2N3440		Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3440		Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)	NTE
		2N3440		Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)	ISC	913	35.66
		2N5415		PNP 200V, 1A, 10W,  15MHz	ST MICROELECTRONICS
		2N5415		PNP 200V, 1A, 10W,  15MHz	STMicroelectronics
		2N5415		PNP 200V, 1A, 10W,  15MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N5415		PNP 200V, 1A, 10W,  15MHz		16	105.60
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	15.30
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	2 588	5.15
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	4 875	3.36
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		2 400	1.13
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	3 811	1.90
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	12 000	1.20
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		MJE15032		Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A	ON SEMICONDUCTOR	14	239.70
		MJE15032		Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A			65.76
		MJE15032		Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MJE15032		Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A	ISC	578	54.25
		MJE15033		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MJE15033		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)			74.04
		MJE15033		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ISC	680	62.41

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"