МГТФЭ 2Х0,20
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2W10G-E4/51 |
|
Vishay/General Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
2W10G-E4/51 |
|
VISHAY | 320 | 82.66 | ||
|
|
|
2W10G-E4/51 |
|
|
|
|||
| SKM145GB128DN | SMK |
|
|
|||||
| VS-HFA30PB120-N3 | VISHAY | 800 | 442.80 | |||||
| VS-HFA30PB120-N3 |
|
|
||||||
| К 142 ЕН8В | RUS |
|
|
|||||
 |
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | 1 | 27.20 | ||
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | RUS |
|
|
