| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BDP954 PNP SILICON AF POWER TRANSISTOR 80V 3A |
|
|
INFINEON
|
79
|
24.00
|
|
|
|
|
BDP954 PNP SILICON AF POWER TRANSISTOR 80V 3A |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
|
|
5.84
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
HOTTECH
|
370 313
|
1.48
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
YJ
|
5 360
|
1.97
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
PHILIPS
|
445
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KLS
|
18 362
|
1.10
|
|
|
|
|
GRM43DR72J104KW01L |
|
Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
GRM43DR72J104KW01L |
|
Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM43DR72J104KW01L |
|
Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
GRM43DR72J104KW01L |
|
Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).
|
MUR
|
110 493
|
9.99
|
|
|
|
|
GRM43DR72J104KW01L |
|
Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
18 168
|
9.10
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 666
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
13 684
|
13.78
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
542
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
VBSEMI
|
20
|
8.86
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
168
|
4.92
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.99
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
Версия для печати
