EEUFR1V271L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
EEUFR1V271L (PAN)	932	29.96
EEUFR1V271L (PAN IND)	479	39.71

Версия для печати

Технические характеристики EEUFR1V271L

Производитель	PANASONIC (MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO.
Номинальное напряжение	35 В
Емкость	270 мкФ
Эквивалентное последовательное сопротивление	41 мОм
Максимальный ток пульсаций	1.24 А
Срок службы	8000 Ч
Размер корпуса	ф 8x15
Рабочая температура	-40...105 °C
Серия	FR
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1360	Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)	TOSHIBA
2SA1360	Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)
2SA1360	Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)	TOS
2SA1360	Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)	ISCSEMI
2SC3423	Биполярный транзистор NPN 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SA1360)	TOSHIBA
2SC3423	Биполярный транзистор NPN 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SA1360)	TOS
2SC3423	Биполярный транзистор NPN 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SA1360)			48.28
2SC3423	Биполярный транзистор NPN 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SA1360)	СИНГАПУР
2SC3423	Биполярный транзистор NPN 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SA1360)	ISCSEMI
L79L05ABZ-AP		ST MICROELECTRONICS	997	36.37
L79L05ABZ-AP				20.80
L79L05ABZ-AP		STMicroelectronics
L79L05ABZ-AP		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
L79L05ABZ-AP		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
LM4040AIM3-2.5		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM4040AIM3-2.5		NSC
LM4040AIM3-2.5				210.68
LM4040AIM3-2.5		NATIONAL SEMICONDUCTOR	310
LM4040AIM3-2.5		TEXAS INSTRUMENTS
LM4040AIM3-2.5		TEXAS INSTRUMENTS	172
NJM78L05UA-TE1		JRC	3 351	14.29
NJM78L05UA-TE1